苏州思体尔软件科技有限公司庆祝CGCT-9会议圆满结束
2024年6月26日，韩国济州国立大学举办的第9届亚洲晶体生长与晶体技术会议（CGCT-9会议）顺利结束。作为晶体生长领域中的盛会，本次会议吸引了来自世界各地的知名学者和研究人员参与其中。我司受邀参与了此次盛会，两位同事在会议中做出了精彩的报告。
一、会议现场
本次会议由全体会议和同期会议组成，反映晶体生长和晶体技术领域从基础到转化层面的各种研究课题。会议定位于为晶体生长和晶体技术领域的国际参与者提供一个交流、合作和协作的平台。通过这个平台，我司与参会者建立了紧密的联系和合作关系。
二、报告现场
我司副总经理付昊带来《Computer Modeling of Large Scale TSSG SiC Crystal Growth》主题报告分享，强调了SiC TSSG与PVT和HTCVD相比有温度低、生长速度高、晶体直径合适、低位错密度等突出优势，并阐述了我司 CGSim软件在TSSG SiC生长条件的计算机建模方面取得了显著的成果。
现场专家学者对我司的CGSim软件表现出极高的兴趣，报告结束后纷纷向其请教相关技术问题，希望能进一步了解CGSim软件的详细信息。
我司技术支持工程师张周带来《Computer modeling of EFG Ga2O3crystal growth in CGSim3D》主题报告分享，介绍了CGSim3D软件基本内容、CGSim3D软件在EFG β-Ga2O3晶体生长中的应用、不同3D几何结构和材料的对比分析示例以及软件未来的展望。
张周工程师通过CGSim3D软件仿真，分析了EFG Ga2O3晶体生长过程中电感器位置和不同材料对晶体生长的影响。用户可以使用CGSim3D软件构建全局的三维模型，做不同方面的参数化研究，通过分析温度分布、流动结构、结晶速率和3D界面形状等结果，获得最佳的生长工艺。这吸引了众多专家学者的兴趣，现场专家学者就报告中的内容展开了热烈的讨论，也对我司软件和仿真工作给予高度评价。
三、合影留念
会后我司领导同事与参会专家学者合影留念。此次会议为我司与晶体生长领域的专家学者提供了一个交流最新研究成果、探讨未来发展趋势的平台。这也将进一步帮助我司在模拟仿真领域的技术突破。
在此，我们对所有为此次会议的成功举办做出贡献的人员表示衷心的感谢。我们也期待在第10届亚洲晶体生长与晶体技术会议上，与更多的专家学者相聚，共同探讨晶体生长领域的未来发展。
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