砥砺前行|第十八届全国MOCVD学术会议圆满结束

作者：苏州思体尔软件科技有限公司

发布于： 2024-07-17 14:23

2024展会回顾

7月10日，为期四天的第十八届全国MOCVD学术会议落下帷幕。本次会议在湖北恩施举行，众多与会专家学者、工程技术人员和企业家围绕MOCVD生长机理与外延技术、MOCVD设备（整机/部件/配件/原材料）、材料结构与物性、光电子器件、电力电子器件、微波射频器件、LED智能照明与物联网等领域开展广泛交流，了解发展动态，促进相互合作。

一、展台风采

我司作为受邀单位积极参与了会议的各项活动。展会期间，我司在 A16 展位上展示了公司在MOCVD领域的最新研究成果和技术创新。通过背景板、宣传册及电脑展示的方式让客户更直观的了解我司软件产品的创新之处。

其中我司主要展示以下三款软件：

1.VR-NE (Virtual Reactor-Nitride Edition)，主要分析的是III族氮化物在MOCVD过程中的流场、热场、化学场；以及外延生长的厚度、组分、掺杂浓度以及它们的均匀性。通过VR-NE可以分析研究MOCVD生长的化学反应历程（包括寄生反应），优化生长工艺；调节热场结构，优化wafer表面温度均匀性。

2.VR III-V (Virtual Reactor-III-V)，分析III-V族化合物包括GaAs、InP等外延层的MOCVD生长，除了考虑厚度和组分均匀性外，还可以分析As和P的凝结过程。

3.STREEM InGaN(STRain Engineering in Electronic Materials-InGaN)软件包括了生长模型、In偏析模型、以及位错模型。软件可以预测外延结构应力的演变，分析由V-Pits引起的应力松弛，以及研究应力对In组分的影响。最终得到异质结结构中的组分分布、应力分布和位错密度分布。

二、交流互动

会议期间，我司成员通过电脑线上展示了VR-NE、VR III-V、STREEM InGaN三款软件选取不同晶体材料及化合物进行模拟得出相关生长模型、应力分布、位错密度、掺杂浓度等结果的模拟展示图。参会者可以在现场实时观察不同晶体及化合物生长的全过程，以及各种生长参数对其质量的影响。这方便参会者更直观的感受到我司产品与其他产品的不同之处。