圆满收官| 苏州STR庆祝CSTIC 2026+Semicon China 2026结束！

作者：苏州思体尔软件科技有限公司

发布于： 2026-04-07 14:50

一、会议背景

本次CSTIC会议设有十个研讨会，涵盖半导体技术的各个方面，重点关注制造和先进技术，包括详细的制造工艺、器件设计、集成、材料和设备，以及新兴半导体技术、电路设计和硅材料应用。后面召开的全球半导体行业年度盛会一SEMICON CHINA 2026以“跨界全球，心芯相联”为主题，汇聚1500+行业领军企业、18万+专业观众，聚焦AI算力、先进封装等核心赛道，共同探讨在国产替代战略背景下的产业发展新路径。

二、CSTIC 2026演讲+海报交流

我司肖琳琳技术支持工程师参与了此次CSTIC 2026会议，她的演讲题目：《Multi-scale model of HfO₂ALD for improvement of the on-wafer uniformity and the step coverage 》。

她在报告中主要从反应器尺度和纳米尺度的模型展示了不同高宽比和工艺条件对台阶覆盖率的影响。首先，对拥有不同高宽比的沟槽的图形片应用不同的前驱体以及通入时间，可以快速得到不同工艺条件下的表面覆盖率情况，帮助用户快速进行工艺优化；其次，对不同前驱体的Hf通入步骤和氧化步骤的脉冲时间分别进行调控，通过模拟在实现理想覆盖率的情况下快速得到最短脉冲时间，帮助优化工艺配方以提高ALD工艺效率。

本次我司海报主要展示了针对SiGe/Si多层堆叠外延界面质量的建模研究，SiGe/Si多层堆叠外延是环绕栅极(GAA)等先进半导体器件的核心工艺步骤，其界面质量直接决定了器件的性能。目前SiGe/Si外延界面存在明显的锗偏析（锗掺入相邻的Si外延层中）导致界面模糊的问题。

本工作通过模拟的方法从多维度分析了影响界面质量的关键工艺参数以及具体优化界面的方法，从温度、压力、前驱体以及recipe的转化等工艺条件的优化能够实现更清晰的SiGe/Si界面。最终提出抑制锗偏析是优化界面的核心因素，在气氛中引入氯（Cl）可有效抑制锗(Ge)的偏析，从而提升SiGe/Si界面晶体质量。

三、Semicon China 2026交流