APCSCRM 2025会议圆满结束,STR与您下次再会!
一、会议背景


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2025年11月25日-27日,第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2025)在郑州中原国际会展中心隆重开幕。
本届大会以"芯联新世界,智启源未来(Wide Bandgap, Wider Future)"为主题,汇聚了全球顶尖的科研机构、学者及产业链上下游企业,共同探讨碳化硅(SiC)等宽禁带半导体材料与技术的最新进展与未来趋势。
二、展位+海报情况

我司展位设立在103展位,展位上准备了会议相关的宣传册资料并立起醒目的易拉宝,方便与会参观者们更全面、深入地了解我们的软件产品。
展会期间参会者们纷纷来到展位驻足交流,我司技术人员凭借专业素养与娴熟技巧,通过电脑生动展示我司软件在碳化硅晶体生长、外延及金刚石MPCVD等领域的模拟仿真情况,将复杂的技术细节以直观的方式呈现出来。

其中我司还进行了会议POSTER投稿。编号2的POSTER展示了新的刻蚀工艺的改进方案。在大尺寸SiC晶圆上的刻蚀技术需要优化晶圆表面的刻蚀均匀性,同时在亚微米级尺度内要求光滑的沟槽壁面和圆角。另外,在刻蚀过程中,由于离子在亚微米尺度上的复杂行为,SiO2掩膜被破坏,导致SiC沟槽形状变形。根据上述提到的刻蚀工艺中存在的问题,POSTER详细展示了在反应器尺度和亚微米尺度上的多尺度模拟仿真方法以改进SiC栅极沟槽刻蚀工艺。

编号3的POSTER展示了SiC晶体生长的准确建模需要考虑石墨坩埚和毡的多孔性能带来的影响。POSTER提出的VR-PVT SiC软件模型可以直接模拟热区内的压力和氮浓度,并研究各种生长因素对多孔材料性能的敏感性。此外,该模型还能预测多孔元件在生长过程中由于刻蚀和重结晶导致的属性演变,帮助评估和提高工艺的稳定性及重复性。
三、报告现场



我司总经理Maria进行了题为《Recent Progress in Modeling of Industrial Crystal Growth Process: Silicon Carbide and Single Crystal Diamond》的报告。
她在报告中主要从大尺寸,高质量以及低成本三方面介绍了数值模拟的应用和帮助。首先,通过在VR软件中输入不同的热场结构,加热器设计以及工艺条件,可以快速得到不同方案下的更全面的数据结果,帮助用户开发和优化大尺寸SiC晶体的生长过程;其次,通过对晶体内的热应力和位错,以及碳颗粒的输运路径进行建模,可以帮助用户选择合适的炉体设计和生长工艺,以降低缺陷密度;最后,新模型的加入让软件可以对由于刻蚀和重结晶导致的保温材料的退化进行预测,从而帮助客户降低晶体生长的成本。
现场参会者们对于Maria女士的报告非常感兴趣,会后纷纷来到展位进行了交流并表达了合作意向。
四、展位交流+合影留念
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三天的展会时光虽然短暂,但收获的友谊与合作无限。苏州STR将带着展会期间汲取的宝贵意见与市场反馈,继续深耕技术、优化产品,以更优质的服务回馈各位新老客户的厚爱。
五、联系我们
苏州思体尔软件科技有限公司官网:www.suzhou-str.com
地址:苏州市工业园区金鸡湖大道纳米城西北区20栋215室
联系人:销售助理 董锦
联系电话/邮箱:15942028360(微信同号)/dong.jin@str-soft.com







