IProS 2D（集成工艺模拟器）是用于模拟各种半导体设备制造链中材料处理的以下步骤的二维软件工具： 
-低压化学气相沉积（LPCVD）：介电材料（SiN，SiO₂），金属（W）。
-Si的热氧化。 
-介电材料（Al₂O₃，HfO₂）的原子层沉积（ALD）。 
-Si和SiGe的干法蚀刻。 
-等离子体辅助沉积（SiN，SiO₂）和蚀刻（Si，SiC）。

IProS 2D 旨在优化单晶圆系统和批量系统中各种材料加工的工艺配方，并面向研发和生产工程师使用。IProS 2D 提供了关于薄膜刻蚀和沉积过程中众多物理过程的信息，包括温度和气体组分浓度、热通量、沉积速率等参数在反应腔内及沿反应腔壁上的空间分布和时间演变。它为研究薄膜刻蚀和沉积过程中的基本现象提供了广泛的可能性。这使得 IProS 2D 成为优化反应器几何结构和工艺配方的一款强大工具。反应器几何结构采用轴对称或平面二维问题模型进行模拟。质量传输计算支持并行计算选项。在标准许可范围内，用户可使用最多 4 个 CPU 核心在并行模式下运行计算。IProS 2D 设计了友好且非常直观的用户界面。用户可以轻松指定反应器几何结构和生长条件。数值模拟中采用非结构化三角形和四边形非匹配计算网格。网格生成针对每个几何块进行，以提供所需的网格密度。

Al₂O₃ ALD 单晶圆反应炉

该软件模型输出：
- 单晶圆/批量反应器内的气体流量、温度及活性物种分布；
- ALD工艺中的介电层/金属沉积速率，包括表面覆盖率的随时间演变；
- 硅氧化层厚度的随时间演变；
- 硅（Si）和硅锗（Si_xGe_y）的刻蚀速率；
- 批量反应器中沉积/氧化速率的晶圆间均匀性；
- 结合反应器与纳米级特征尺寸的耦合仿真，以考虑图案化晶圆的情况进行工艺开发，测试和优化工艺配方，提高晶圆上的沉积均匀性和沟槽内台阶覆盖率；

                              Si₃N₄ LPCVD 批量反应器

多尺度耦合模拟仿真

软件支持对沉积或蚀刻过程与不同工艺参数之间的依赖关系进行参数化研究，运行时及后处理可视化功能可呈现所有计算变量的二维和一维分布。

晶圆温度58℃条件下的ALD工艺过程中得到的净质量增益