VR Threading Dislocations 模块
VR Threading Dislocations 模块 对于从 SiC 和 AlN 蒸气中的块状生长，可应用 Threading Dislocations（TD）模块来分析穿线位错密度的演变。所实施的基于能量的方法利用 VR 软件计算的晶体形状演变数据进行操作。模拟可分为两种方法： TD轨迹跟踪模拟源自晶种的 TD 随着晶体形状的演变通过生长中的晶体的传播。晶体垂直截面中位错追踪的可视化结果对于解释位错行为和工艺优化特别方便。 虚拟映射通过逐个平面追踪晶体从晶种的 3D 传播来预测晶体水平横截面的 TD 密度。该结果便于与实验观察到的位错密度分布进行直观比较。 Computed threading dislocation density in SiC vs.experiment by Yuqiang Gao et al., J. Cryst. Growth 312 (2010) 2909 Virtual mapping of threading dislocations Dislocation tracking...
描述
VR Threading Dislocations 模块
对于从 SiC 和 AlN 蒸气中的块状生长，可应用 Threading Dislocations（TD）模块来分析穿线位错密度的演变。所实施的基于能量的方法利用 VR 软件计算的晶体形状演变数据进行操作。模拟可分为两种方法：
- TD轨迹跟踪模拟源自晶种的 TD 随着晶体形状的演变通过生长中的晶体的传播。晶体垂直截面中位错追踪的可视化结果对于解释位错行为和工艺优化特别方便。
- 虚拟映射通过逐个平面追踪晶体从晶种的 3D 传播来预测晶体水平横截面的 TD 密度。该结果便于与实验观察到的位错密度分布进行直观比较。
Computed threading dislocation density in SiC vs.experiment by Yuqiang Gao et al., J. Cryst. Growth 312 (2010) 2909
Virtual mapping of threading dislocations
Dislocation tracking
