III-Vs 的外延建模
描述
III-Vs：外延的建模
(1).VR™ 适用于以下反应器类型的建模：
- 行星式反应器
- 高速旋转透平碟反应器
- 水平反应器
- 近耦合喷淋头反应器
- 可在二维平面或轴对称模型内模拟的自制反应器
(2).软件包括以下现成的化学模型：
- 砷化物
-
- 由 TMIn 和 AsH3 或 TBA 外延的 InAs
- 通过 TMGa 和 AsH3 或 TBA 外延GaAs
- 由 TMAl 和 AsH3 外延的 AlAs
- 从 TMIn、TMGa 和 AsH3 或 TBA 外延 InxGa1-xAs
- 由 TMIn、TMAl 和 AsH3 外延生成 InxAl1-xAs
- 由 TMAl、TMGa 和 AsH3 外延生成 AlxGa1-xAs
- 由 TMIn、TMGa、TMAl 和 AsH3 外延生成 InxGayAl1-x-yAs
- 磷化物
- 由 TMIn 和 PH3 或 TBP 制成的 InP 外延
- 由 TMGa 和 PH3 或 TBP 制成的 GaP 外延
- 由 TMAl 和 PH3 外延的 AlP
- 由 TMIn、TMGa 和 PH3 或 TBP 外延生成 InxGa1-xP
- 由 TMIn、TMAl 和 PH3 外延生成 InxAl1-xP
- 由 TMAl、TMGa 和 PH 外延生成 AlxGa1-xP
- 由 TMIn、TMGa、TMAl 和 PH3 外延生成 InxGayAl1-x-yP
- 混合 V 族化合物
- 由 TMIn、AsH3 和 PH3 外延的 InAsP
- 由 TMGa、AsH3 和 PH3 外延生成 GaAsP
- 由 TMAl、AsH3 和 PH3 外延的 AlAsP
- 从 TMIn、TMGa、AsH3 和 PH3 外延 InGaAsP
- 从 TMIn、TMAl、AsH3 和 PH3 外延 InAlAsP
- 来自 TMAl、TMGa、AsH3 和 PH3 的 AlGaAsP 外延
- 掺杂
- 通过 SiH4 中的 Si 掺杂 AlxGa1-xAs、GaAs 和 AlAs
- 从 MgCp2 中掺入镁的 InxGa1-xP、InxAl1-xP、InP、GaP 和 AlP
关于不同的前驱体，如果您这边有请直接咨询我们。本软件正在不断开发中，某些型号可能已经可用也可能会添加。
Publications
Models and mechanisms:
- R.A. Talalaev, E.V. Yakovlev, S.Yu. Karpov, Yu.N. Makarov,
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”Quasi-thermodynamic models of surface chemistry: application to MOVPE of III-V ternary compounds”, Electrochemical Society Proceedings, Vol. 2000-13, p.723-730, (2000) - F.Durst, L.Kadinski, Yu.N.Makarov, M.Schäfer, M.G.Vasil’ev, V.S.Yuferev,
”Advanced mathematical models for simulation of radiative heat transfer in CVD reactors”, Journal of Crystal Growth, Vol.172, p.385-395 - L.Kadinski, Yu.N.Makarov, M.Schäfer, M.G.Vasil’ev, V.S.Yuferev,
”Development of advanced mathematical models for numerical calculations of radiative heat transfer in metalorganic chemical vapour deposition reactors”, Journal of Crystal Growth, Vol.146, p.209-213, (1995)
III-V growth in the Horizontal and Planetary Reactors:
- S. Yu. Karpov,
”Advances in the modeling of MOVPE processes”, J. Crystal Growth, Vol.248, p.1-7, (2003) - E.V. Yakovlev, Y.A. Shpolyanskiy, R.A. Talalaev, S.Y. Karpov, Y.N. Makarov, T. Bergunde, and S.A. Lowry,
“Detailed Modeling of Metal Organic Vapor Phase Epitaxy of III-V Ternary compounds in Production-Scale AIX 2400G3 Planetary Reactor”, Electrochemical Society Proceedings 2001-13, 292 (2001) - E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev, S.Yu. Karpov, Yu.A. Shpolyanskiy, Yu.N. Makarov, S.A. Lowry,
”Comprehensive reactor-scale modeling of III-V ternary compound growth by MOVPE”, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.616, p.153-158, (2000) - M. Dauelsberg, L. Kadinski , Yu.N. Makarov , T. Bergunde , G. Strauch, M. Weyers,
”Modeling and experimental verification of transport and deposition behavior during MOVPE of Ga1-xInxP in the Planetary Reactor”, Journal of Crystal Growth, Vol.208, p.85-92, (2000) - T.Bergunde, M.Dauelsberg, L.Kadinski, Yu.N.Makarov, M.Weyers, D.Schmitz, G.Strauch,
”Heat transfer and mass transport in multiwafer MOVPE reactor: modelling and experimental studies”, Journal of Crystal Growth, Vol. 170, p.66-71, (1997) - T.Bergunde, M.Dauelsberg, L.Kadinski, Yu.N.Makarov, V.S.Yuferev, D.Schmitz, G.Strauch, H.Jürgensen,
”Process optimisation of MOVPE growth by numerical modelling of transport phenomena including thermal radiation”, Journal of Crystal Growth, Vol.180, p.660-669, (1997) - T.Bergunde, M.Dauelsberg, L.Kadinski, Yu.N.Makarov, G.Strauch, H.Jürgensen,
”Modelling and process optimization in a radial flow multiwafer MOVPE reactor”, Society Proceedings, Vol. 97-25, p.230-237, (1997) - T.Bergunde, D.Gutsche, L.Kadinski, Yu.Makarov, and M.Weyers,
”Transport and reaction behaviour in Aix-2000 Planetary MOVPE reactor”, Journal of Crystal Growth, Vol.146, p.564-569, (1995) - T.Bergunde, M.Dauelsberg, Yu.Egorov, L.Kadinski, Yu.N.Makarov, M.Schäfer, G.Strauch, M.Weyers,
”Algorithms and Models for Simulation of MOCVD of III-V Layers in the Planetary Reactor”, Simulation of Semiconductor Devices and Processes, Vol.6, edited by H.Ryssel, P.Pichler, p.328-331, (1995) - T.Bergunde, M.Dauelsberg, Yu.Egorov, L.Kadinski, Yu.N.Makarov, M.Schäfer, G.Strauch, M.Weyers,
”Modelling of growth in a 5×3 inch multiwafer metalorganic vapour phase epitaxy reactor”, Journal of Crystal Growth, Vol. 145, p.630-635, (1994)
