利用 VR 软件对 HTCVD 生成的碳化硅晶体生长进行建模

由于碳化硅的高温化学气相沉积（HTCVD）一方面是外延过程（CVD），另一方面又是块状晶体生长，因此可以使用 VR-CVD SiC 对其进行模拟，并使用针对块状晶体的螺纹位错模块对其进行进一步研究。VR-CVD SiC 可以模拟 SiC 晶体从 SiH4 和 C3H8 或 C2H4 的长期生长过程，并考虑液态 Si 液滴和固态 SiC 颗粒的生成和再蒸发。通过计算，用户可以获得反应器的热曲线、流动模式、反应器腔体中的物种浓度、晶体生长率分布和计算形状演变。此外，计算结果还包括晶体生长过程中应力和位错密度的演变。

考虑到颗粒形成和传输对这种生长技术的关键作用，VR 结果不仅包括颗粒浓度数据，还包括硅滴的成核和二次凝结（生长）率以及碳化硅颗粒的生长率。

已发表的利用VR软件模拟 SiC HTCVD 的实例

通过修改反应器腔体优化气流的实例：Yuichiro Tokuda、Norihiro Hoshino、Hironari Kuno、Hideyuki Uehigashi、Takeshi Okamoto、Takahiro Kanda、Nobuyuki Ohya、Isaho Kamata 和 Hidekazu Tsuchida 合著的 "Fast 4H-SiC Bulk Growth by High-Temperature Gas Source Method"，可转接原文链接：Fast 4H-SiC Bulk Growth by High-Temperature Gas Source Method | Scientific.Net 

缓解热弹性应力，减少开裂的发生的实例：Takeshi Okamoto、Takahiro Kanda、Yuichiro Tokuda、Nobuyuki Ohya、Kiyoshi Betsuyaku、Norihiro Hoshino、Isaho Kamata 和 Hidekazu Tsuchida 合著的 "Development of 150-mm 4H-SiC Substrates Using a High-Temperature Chemical Vapor Deposition Method"，可转接原文链接：Development of 150-mm 4H-SiC Substrates Using a High-Temperature Chemical Vapor Deposition Method | Scientific.Net

Trace lines illustrating the flow direction and velocity

                       Temperature distribution in the reactor with the call-outs at the crystal interface                                                   Concentration of SiC particles

                                                       (T, V_gr) and in the hot zone (T)

                                                             Si mass fraction                                                                                                                                     Mass fraction of SiC₂