VR PVT-SiC是一款可用于模拟PVT法长期生长SiC块状晶体的软件工具，功能包括传热（导热，对流和辐射），传质，壁面化学反应，晶体形状和粉末属性演变等。此外，软件还可以预测生长和冷却过程中的应力和位错水平，包括BPD，TED和TSD。

软件对以下实际工作特别有用：

• 重新设计熔炉，以获得更有利的热曲线或质量传输模式。也就是说，通过软件可以快速、低成本地尝试多种硬件改造方案。此外，它还能立即访问所有 "监测 "数据。在VR中实施的模型将反映出修改对晶体形状、粉末装填、可能的寄生沉积等的影响。
• 开发配方。由于块状晶体生长需要优化一组随时间变化的参数，如温度的变化，因此反复运行漫长而昂贵的过程可能成本很高。此外，由于缺乏监测数据，对结果的解释也会变得复杂。另一方面，软件可以在不浪费资源的情况下快速接近最佳配方。它将实验优化缩小到微调阶段。请注意，建模方法适用于加热阶段、晶体生长配方和冷却阶段。

SiC crystal shape evolution and powder charge degradation as reported at IWMCG-9 (2018) by Galyukov et. al.