耿邦杰，苏州思体尔软件科技有限公司技术支持工程师。

报告主题：《PVT法SiC晶体生长模型的新进展》

报告主要内容：

SiC晶体具有许多优异的物理性能，非常适合高温，高频，大功率，耐辐射，耐腐蚀等应用场景。目前，PVT方法仍然是块状SiC晶体生长的主要方法，但由于该方法的特殊性：极高的温度和全封闭坩埚，几乎无法直接观测和控制生长过程。在这种情况下，数值模拟提供了一种间接的，可行的方法：通过求解数学模型重现实际的生长过程。

这里，我们使用自主研发的VR（Virtual Reactor）软件来模拟块状碳化硅晶体的长期生长过程。该软件假设系统中发生的所有过程的瞬态时间远小于生长的持续时间，这意味着可以通过解决具有恒定参数的各种离散时刻的一系列稳态问题来代替具有缓慢变化的参数的实际生长过程。在每个阶段，根据用户定义的模型几何，材料特性，边界条件以及工艺过程，包括系统加热，惰性气体压力以及线圈运动等，求解与反应性物质传质耦合的热传递问题，得到晶体生长速率和坩埚壁面上各种沉积物的形成速率，并以此对系统的几何形状以及物质属性进行修正。

4.会议赞助展示

苏州思体尔软件科技有限公司参与了此次盛会，不仅赞助了此次大会，还设置了26号宣传展台以便更好的与客户沟通交流。

我们诚挚期待此次大会与各位新老客户的会面，并欢迎广大科研高校、企业领导来到我们展位，进行产品信息、行业动态、学术学习等多领域的沟通交流。

5.联系我们

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