首页
主推产品介绍
CGSim
TSSG(顶部籽晶溶液法)
CGSim CZ (直拉法)
光伏Si
电子级Si
DS法
CGSim HPLEC (高压液封直拉法)
Hydrothermal Method(水热法)
VGF法(垂直梯度法)
Ky法(泡生法)
HEM法(热交换法)
CVDSim
CVDSim3D CVD Si
CVDSim3D CVD SiC
Virtual Reactor
外延方面
长晶方面
SimuLED
SILENSe™
SpeCLED™
RATRO™
PolySim
DiaDeMo
全部产品介绍
晶体生长方面
半导体晶体生长建模
太阳能硅生长建模
光学晶体生长建模
激光材料建模
外延沉积方面
氮化物外延系统建模
III-Vs:外延的建模
Si和SiGe的MOCVD建模
SiC的化学蒸汽沉积模型研究
HTCVD和VR软件建模SiC晶体生长
HPVE
STREEM软件建模电子材料工程
西门子工艺法建立多晶硅沉积建模
CVI工艺对碳SiC矩阵复合材料生产进行建模的VR软件
器件设备方面
LED芯片
Micro-LEDs
异质结构
电流扩散
光提取
超晶体
HEMTs和FETs
光伏电池
最新活动
联系我们
首页
主推产品介绍
CGSim
TSSG(顶部籽晶溶液法)
CGSim CZ (直拉法)
光伏Si
电子级Si
DS法
CGSim HPLEC (高压液封直拉法)
Hydrothermal Method(水热法)
VGF法(垂直梯度法)
Ky法(泡生法)
HEM法(热交换法)
CVDSim
CVDSim3D CVD Si
CVDSim3D CVD SiC
Virtual Reactor
外延方面
长晶方面
SimuLED
SILENSe™
SpeCLED™
RATRO™
PolySim
DiaDeMo
全部产品介绍
晶体生长方面
半导体晶体生长建模
太阳能硅生长建模
光学晶体生长建模
激光材料建模
外延沉积方面
氮化物外延系统建模
III-Vs:外延的建模
Si和SiGe的MOCVD建模
SiC的化学蒸汽沉积模型研究
HTCVD和VR软件建模SiC晶体生长
HPVE
STREEM软件建模电子材料工程
西门子工艺法建立多晶硅沉积建模
CVI工艺对碳SiC矩阵复合材料生产进行建模的VR软件
器件设备方面
LED芯片
Micro-LEDs
异质结构
电流扩散
光提取
超晶体
HEMTs和FETs
光伏电池
最新活动
联系我们
首页
最新活动
STR China Seminar 2024 圆满结束!期待与您下次相见!
11-28
2024
苏州思体尔软件科技有限公司
STR China Seminar 2024|苏州思体尔软件科技有限公司邀您一起参与!
10-18
2024
苏州思体尔软件科技有限公司
苏州思体尔软件科技有限公司诚挚的邀请您莅临本次研讨会,与我们一同参会交流!
交流探讨,共赢未来——2024 STR CGSim 线下培训班邀请函
10-11
2024
苏州思体尔软件科技有限公司
苏州思体尔软件科技有限公司诚邀您的到来,共同探讨模拟仿真领域新成果、新进展!
展会回顾 | 南昌光电博览会圆满收官,苏州STR期待与您下次相聚!
09-30
2024
苏州思体尔软件科技有限公司
展会回顾|2024第四届人工晶体材料青年学术会议圆满结束
09-26
2024
苏州思体尔软件科技有限公司
砥砺前行|第十八届全国MOCVD学术会议圆满结束
07-17
2024
苏州思体尔软件科技有限公司
1
2
3
4
6
返回顶部