苏州思体尔软件科技公司诚邀您参与2023.2.7-10日2023 IFWS&SSLCHIA 论坛—苏州
论坛介绍
一年一度行业盛会，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS 2022）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2022）将于2023年2月7-10日（7日报到）在苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店召开。在这场被视为“全球第三代半导体行业风向标”的盛会上，由2014年诺贝尔物理奖获得者、日本工程院院士、美国工程院院士、中国工程院外籍院士、日本名古屋大学未来材料与系统研究所教授天野浩，美国工程院院士、美国国家发明家院士、中国工程院外籍院士、美国弗吉尼亚理工大学的大学特聘教授Fred LEE领衔200多个报告嘉宾，紧扣论坛“低碳智联·同芯共赢”大会主题，将在开、闭幕大会、主题分会及同期共计近30余场次活动中，全面展现第三代半导体产业链前沿技术进展及产业发展“风向"。
论坛主题及日程安排
论坛主题：低碳智联 同芯共赢
日程安排：
参展人员介绍
✦演讲主题：《超宽禁带半导体氧化镓及金刚石的晶体生长模拟研究》
✦苏州思体尔软件科技有限公司副总经理
✦本次口头报告中会基于目前氧化镓和金刚石晶体生长方面的工作研究进展，交流相关化学结构方面和化学模型，证明其数值模型对晶体生长过程优化的主要贡献。
报告主要探究近年来氧化镓和金刚石材料随着超宽禁带半导体的发展前景，在高功率电子器件领域受到的诸多关注。分析氧化镓生长技术主要基于的两个方向：熔体体晶生长和金属有机气相外延薄膜。金刚石生长技术基于两个关键方向：高压高温体晶体（HPHT）生长和微波等离子体辅助化学气相沉积（MWCVD）。研究氧化镓和金刚石生长的关键挑战与缺陷形成、氧化镓中Ga和O的非化学计量浓度、金刚石中的键杂化以及向多晶结构的转变有关的原因。
✦演讲主题：《深紫外LED仿真设计及操作关键技术进展》
✦苏州思体尔软件科技有限公司技术支持工程师
✦本次口头报告中会根据目前的研究进展详细讲解优化深紫外LED的方法。
其中AlGaN深紫外发光的效率明显低于InGaN/GaN蓝色和绿色光发射器的原因分为以下三种：
(i) 螺纹位错导致的内部量子效率的降低；
(ii)金属接触和常规使用的p-GaN接触层对紫外光的强吸收;
(iii)AlGaN包层的电导率差和AlGaN电阻高/金属欧姆接触电阻高。
因此电、热和光学耦合模拟是可以确定限制深紫外LED效率的关键因素，并据此提出提高器件性能的方法。
展商展示
